Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NE3210S01
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3210S01 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| NE3210S01 | Виробник : NEC | Малошумящий транзистор N-Channel GaAs Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| NE3210S01 | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 2 V Voltage - Rated: 4 V Noise Figure: 0.35dB Technology: GaAs HJ-FET Gain: 13.5dB Frequency: 12GHz Current Rating (Amps): 15mA Package / Case: 4-SMD Packaging: Strip Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMD |
товару немає в наявності |
||
 |
NE3210S01 | Виробник : CEL |
 RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET |
товару немає в наявності |
|
| NE3210S01 | Виробник : Renesas Electronics | Renesas Electronics |
товару немає в наявності |