на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2333DS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI2333DS-T1-GE3 за ціною від 20.26 грн до 59.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2333DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V |
на замовлення 9609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V |
на замовлення 121706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2333DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Drain current: -5.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 59mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI2333DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Drain current: -5.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 59mΩ |
товар відсутній |