SPW11N80C3 Infineon Technologies
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 243.18 грн |
| 10+ | 201.41 грн |
| 25+ | 165.15 грн |
| 100+ | 141.84 грн |
| 240+ | 133.85 грн |
| 480+ | 125.86 грн |
| 1200+ | 107.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW11N80C3 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 7.1A, Power dissipation: 156W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SPW11N80C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SPW11N80C3 Код товару: 132782 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
SPW11N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
SPW11N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |