STD3N62K3

STD3N62K3 STMicroelectronics


en.cd00204091.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.67 грн
25+ 30.36 грн
100+ 29.07 грн
250+ 26.73 грн
500+ 25.48 грн
1000+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD3N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STD3N62K3 за ціною від 19.85 грн до 112.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD3N62K3 STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.cd00204091.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
373+33.03 грн
376+ 32.7 грн
379+ 32.47 грн
382+ 31.09 грн
500+ 28.58 грн
1000+ 27.24 грн
Мінімальне замовлення: 373
STD3N62K3 STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics std3n62k3-1850520.pdf MOSFETs N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
на замовлення 11728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.8 грн
10+ 43.83 грн
100+ 33.69 грн
500+ 30.07 грн
1000+ 26.81 грн
2500+ 26.59 грн
5000+ 26.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD3N62K3 STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics STD3N62K3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+54.46 грн
10+ 41.96 грн
25+ 37.51 грн
42+ 20.98 грн
116+ 19.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD3N62K3 STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics STD3N62K3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.35 грн
10+ 52.29 грн
25+ 45.01 грн
42+ 25.18 грн
116+ 23.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD3N62K3 STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00204091.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.08 грн
10+ 68.08 грн
100+ 45.43 грн
500+ 33.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD3N62K3 STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.cd00204091.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.cd00204091.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD3N62K3 STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.cd00204091.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD3N62K3 STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.cd00204091.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD3N62K3 STD3N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00204091.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
товар відсутній