Продукція > STMICROELECTRONICS > STD3N62K3
STD3N62K3

STD3N62K3 STMicroelectronics

en.CD00204091.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD3N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STD3N62K3 за ціною від 26.33 грн до 122.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD3N62K3 STD3N62K3 STMicroelectronics en.cd00204091.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.26 грн
25+37.88 грн
100+36.27 грн
250+33.35 грн
500+31.79 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3 STD3N62K3 STMicroelectronics en.cd00204091.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+38.26 грн
376+37.88 грн
379+37.62 грн
382+36.02 грн
500+33.11 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3 STD3N62K3 STMicroelectronics en.CD00204091.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.74 грн
10+42.86 грн
100+37.86 грн
500+32.49 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3 STD3N62K3 STMicroelectronics STD3N62K3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+55.99 грн
12+37.39 грн
100+31.94 грн
500+29.79 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3 STD3N62K3 STMicroelectronics en.CD00204091.pdf MOSFETs N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+122.01 грн
10+56.94 грн
100+38.10 грн
500+31.37 грн
1000+29.25 грн
2500+27.57 грн
10000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3 en.cd00204091.pdf
STD3N62K3
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.26 грн
25+37.88 грн
100+36.27 грн
250+33.35 грн
500+31.79 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3 en.cd00204091.pdf
STD3N62K3
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
373+38.26 грн
376+37.88 грн
379+37.62 грн
382+36.02 грн
500+33.11 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3 en.CD00204091.pdf
STD3N62K3
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.74 грн
10+42.86 грн
100+37.86 грн
500+32.49 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3 STD3N62K3.pdf
STD3N62K3
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+55.99 грн
12+37.39 грн
100+31.94 грн
500+29.79 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3 en.CD00204091.pdf
STD3N62K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.01 грн
10+56.94 грн
100+38.10 грн
500+31.37 грн
1000+29.25 грн
2500+27.57 грн
10000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.