Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STN1HNK60
STN1HNK60

STN1HNK60

stn1hnk60.pdf
Код товару: 117537
Виробник: ST
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,4 A
Rds(on), Ohm: 8,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 156/7
Монтаж: SMD
у наявності 172 шт:
113 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 16.2 грн
100+ 14.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STN1HNK60 за ціною від 12.98 грн до 90.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+29.35 грн
8000+ 26.91 грн
12000+ 25.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 16539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+55.36 грн
500+ 42.45 грн
1000+ 27.15 грн
5000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 30556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.32 грн
10+ 55.91 грн
100+ 43.47 грн
500+ 34.58 грн
1000+ 28.17 грн
2000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60-1851347.pdf MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
на замовлення 61704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.3 грн
10+ 62.11 грн
100+ 42.02 грн
500+ 35.63 грн
1000+ 29.03 грн
2000+ 27.3 грн
4000+ 25.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 16539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.39 грн
10+ 75.45 грн
100+ 55.36 грн
500+ 42.45 грн
1000+ 27.15 грн
5000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
STN1HNK60 Виробник : ST stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 8.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STN1HNK60 STN1HNK60 Виробник : STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 8.5Ω
товар відсутній

З цим товаром купують

NE555P
Код товару: 26138		 description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 2282 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+8 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
1000+ 5.8 грн
BC847.215 (SOT-23, Nexpreria)
Код товару: 99908
BC847.215 (SOT-23, Nexpreria)
Виробник: Nexpreria
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
у наявності: 6902 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 0.8 грн
100+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
10mH 10% (DR 0912 10mH Bochen) (Idc=0,12А, Rdc max=13 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm)
Код товару: 123715		 dvk10000k-datasheet.pdf
10mH 10% (DR 0912 10mH Bochen) (Idc=0,12А, Rdc max=13 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm)
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 10 mH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 10mH±10%, Idc=0.12А, Rdc мax=13 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 0,12 A
у наявності: 71 шт
очікується: 200 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+9 грн
10+ 8 грн
100+ 7.2 грн
P6KE400CA
Код товару: 169544		 P6KE6.8%20SERIES-v1.jpg en.CD00000720.pdf media?resourcetype=datasheets&itemid=620a3cb5-3282-4670-8b03-66f21bc75523&filename=littelfuse_tvs_diode_p6ke_datasheet.pdf
P6KE400CA
Виробник: GS
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 400 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 342 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 513 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7 грн
10+ 5 грн
100+ 4.3 грн
3 MOhm 5% 0,125W вив.
Код товару: 2332
3 MOhm 5% 0,125W вив.
Виробник: Uni Ohm
Вивідні резистори > 0,125W
Номінал: 3 MOhm
Точність: ±5%
Pном.,W: 0,125 W
у наявності: 11459 шт
Кількість Ціна без ПДВ
20+0.4 грн
100+ 0.1 грн
Мінімальне замовлення: 20