Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STN1HNK60
STN1HNK60

STN1HNK60

stn1hnk60.pdf
Код товару: 117537
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 0,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 156/7
Монтаж: SMD
у наявності: 3888 шт
  • 3866 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STN1HNK60 за ціною від 14.35 грн до 126.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STN1HNK60 STN1HNK60 ST info-tstd1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.29 грн
8000+37.43 грн
12000+37.11 грн
20000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.25 грн
10+75.61 грн
20+65.11 грн
50+53.03 грн
100+45.75 грн
500+34.33 грн
1000+31.27 грн
2000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 6316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.03 грн
10+76.99 грн
100+51.60 грн
500+38.22 грн
1000+34.94 грн
2000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
на замовлення 27840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 STN1HNK60 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 STN1HNK60 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 info-tstd1nk60t4.pdf
STN1HNK60
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 stn1hnk60.pdf
STN1HNK60
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 stn1hnk60.pdf
STN1HNK60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 stn1hnk60.pdf
STN1HNK60
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+38.29 грн
8000+37.43 грн
12000+37.11 грн
20000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 STD1NK60-1.pdf
STN1HNK60
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.25 грн
10+75.61 грн
20+65.11 грн
50+53.03 грн
100+45.75 грн
500+34.33 грн
1000+31.27 грн
2000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 stn1hnk60.pdf
STN1HNK60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 6316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.03 грн
10+76.99 грн
100+51.60 грн
500+38.22 грн
1000+34.94 грн
2000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 stn1hnk60.pdf
STN1HNK60
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
на замовлення 27840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN1HNK60
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1HNK60 SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN1HNK60
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HT7550-1 (SOT-23-3)
Код товару: 198227
4 Додати до обраних Обраний товар
2306061713_MSKSEMI-HT7550-1_C5379082.pdf
HT7550-1 (SOT-23-3)
Виробник: MSKSEMI
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-23-3
Напруга входу Uin, В: 30 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 0,1 А
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: -40...85°С
у наявності: 982 шт
  • 639 шт - склад
  • 268 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.25 грн
100+2.70 грн
1000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
442 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-442K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27776
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
442 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-442K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 442 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 14949 шт
  • 14900 шт - склад
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Ковпачок на кнопку, D = 12 (внутрішній d = 4,9мм), чорний
Код товару: 110717
2 Додати до обраних Обраний товар
kls-tsc12-datasheet.pdf
Ковпачок на кнопку, D = 12 (внутрішній d = 4,9мм), чорний
Виробник: KLS
Кнопки та клавіатури > Ковпачки для кнопок
Ковпачки для кнопок
Опис: Ковпачок D = 12, колір: чорний
Габарити: D=12
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 200 шт
  • 200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20 грн
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2,2uF 200V ECR 6,3x11mm (ECR2R2M2DB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3115
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
2,2uF 200V ECR 6,3x11mm (ECR2R2M2DB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 200 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -25...+85°С
Габарити: 6x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 10104 шт
  • 9760 шт - склад
  • 83 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 61 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 200 шт
  • 200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.