STN1HNK60
Код товару: 117537
Виробник: STКорпус: SOT-223
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,4 A
Rds(on), Ohm: 8,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 156/7
Монтаж: SMD
у наявності 29 шт:
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STN1HNK60 за ціною від 14.08 грн до 120.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 452000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 452000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN1HNK60 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH |
на замовлення 14484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN1HNK60 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
на замовлення 6552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STN1HNK60 | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
STN1HNK60 SMD N channel transistors |
на замовлення 3298 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| TL071CP Код товару: 24068
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8
Vc, V: ±3,5…18 V
BW,MHz: 3 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 13 V/µs
Температурний діапазон: 0…+70°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 1
Монтаж: THT
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8
Vc, V: ±3,5…18 V
BW,MHz: 3 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 13 V/µs
Температурний діапазон: 0…+70°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 1
Монтаж: THT
у наявності: 63 шт
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
| NE555P Код товару: 26138
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 218 шт
185 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| STP10NK60ZFP Код товару: 4775
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 78 шт
59 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 28.90 грн |
| ES1J Код товару: 3349
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/TSC/HOTTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns
у наявності: 729 шт
258 шт - РАДІОМАГ-Київ
250 шт - РАДІОМАГ-Львів
150 шт - РАДІОМАГ-Харків
71 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
250 шт - РАДІОМАГ-Львів
150 шт - РАДІОМАГ-Харків
71 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.00 грн |
| P6KE200CA Код товару: 3238
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 200 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 171 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 200 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 171 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |









