STN1NK60Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 25.14 грн |
| 50+ | 19.58 грн |
| 66+ | 13.35 грн |
| 182+ | 12.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN1NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STN1NK60Z за ціною від 12.06 грн до 56.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STN1NK60Z Код товару: 25979 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-223 Uds,V: 600 V Idd,A: 0,25 A Rds(on), Ohm: 15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 94/4,9 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 189mA Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3745 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STN1NK60Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STN1NK60Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
на замовлення 13944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH |
на замовлення 5680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| STN1NK60Z | Виробник : ST |
600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics NV |
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 |
на замовлення 4803 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
STN1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |