STN1NK60Z

STN1NK60Z STMicroelectronics


704214581529243cd00003347.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STN1NK60Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STN1NK60Z за ціною від 11.55 грн до 54.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics STN1NK60Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+17.15 грн
25+ 14 грн
66+ 12.22 грн
179+ 11.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics STN1NK60Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+20.58 грн
25+ 17.45 грн
66+ 14.66 грн
179+ 13.86 грн
4000+ 13.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+36.81 грн
250+ 30.75 грн
1000+ 22.17 грн
2000+ 18.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
246+47.56 грн
342+ 34.21 грн
345+ 33.9 грн
500+ 27.7 грн
1000+ 20.09 грн
3000+ 17.7 грн
Мінімальне замовлення: 246
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+49.05 грн
14+ 44.4 грн
25+ 44.16 грн
100+ 30.63 грн
250+ 28.11 грн
500+ 22.87 грн
1000+ 17.9 грн
3000+ 16.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 14567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.89 грн
10+ 41.52 грн
100+ 28.74 грн
500+ 22.53 грн
1000+ 19.17 грн
2000+ 17.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics stn1nk60z-1851440.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.34 грн
10+ 46.82 грн
100+ 28.2 грн
500+ 23.85 грн
1000+ 20.42 грн
2000+ 18.45 грн
4000+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+54.55 грн
50+ 36.81 грн
250+ 30.75 грн
1000+ 22.17 грн
2000+ 18.5 грн
Мінімальне замовлення: 14
STN1NK60Z Виробник : ST en.CD00003347.pdf 600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 50
STN1NK60Z STN1NK60Z
Код товару: 25979
Виробник : ST STN1NK60Z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,25 A
Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 94/4,9
Монтаж: SMD
товар відсутній
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1NK60Z STN1NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
товар відсутній