на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 45.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS4DNF60L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STS4DNF60L за ціною від 26.87 грн до 160.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2388 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STS4DNF60L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 6238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 10591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp |
на замовлення 4094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |