Продукція > STMICROELECTRONICS > STS4DNF60L
STS4DNF60L

STS4DNF60L STMicroelectronics

cd0000155.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.19 грн
5000+48.15 грн
7500+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STS4DNF60L STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STS4DNF60L за ціною від 37.19 грн до 195.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.19 грн
5000+48.15 грн
7500+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.94 грн
5000+48.40 грн
7500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.32 грн
5000+48.77 грн
7500+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMICROELECTRONICS SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.10 грн
500+65.59 грн
1000+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.49 грн
13+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics STS4DNF60L.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.28 грн
5+123.28 грн
10+104.83 грн
50+69.61 грн
100+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 8898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.86 грн
114+124.59 грн
146+96.97 грн
500+77.15 грн
1000+67.69 грн
2500+60.99 грн
5000+58.03 грн
7500+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMICROELECTRONICS SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.83 грн
50+114.61 грн
100+82.10 грн
500+65.59 грн
1000+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.17 грн
10+121.37 грн
100+83.43 грн
500+63.07 грн
1000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L ST en.CD00001553.pdf 2xN-MOSFET 4A 60V 2W STS4DNF60L SOIC8 STM TSTS4DNF60L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L cd0000155.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.19 грн
5000+48.15 грн
7500+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L cd0000155.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.94 грн
5000+48.40 грн
7500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L cd0000155.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.32 грн
5000+48.77 грн
7500+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L en.CD00001553.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STS4DNF60L
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+82.10 грн
500+65.59 грн
1000+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L cd0000155.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.49 грн
13+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+165.28 грн
5+123.28 грн
10+104.83 грн
50+69.61 грн
100+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L cd0000155.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 8898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+167.86 грн
114+124.59 грн
146+96.97 грн
500+77.15 грн
1000+67.69 грн
2500+60.99 грн
5000+58.03 грн
7500+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STS4DNF60L
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+178.83 грн
50+114.61 грн
100+82.10 грн
500+65.59 грн
1000+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L en.CD00001553.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.17 грн
10+121.37 грн
100+83.43 грн
500+63.07 грн
1000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L en.CD00001553.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L cd0000155.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L en.CD00001553.pdf
Виробник: ST
2xN-MOSFET 4A 60V 2W STS4DNF60L SOIC8 STM TSTS4DNF60L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.