Технічний опис STS4DNF60L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STS4DNF60L за ціною від 31.56 грн до 198.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 8898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS4DNF60L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 7018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS4DNF60L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STS4DNF60L | Виробник : ST |
2xN-MOSFET 4A 60V 2W STS4DNF60L SOIC8 STM TSTS4DNF60L |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| STS4DNF60L | Виробник : --- |
SOP-8 MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STS4DNF60L | Виробник : STM |
MOSFET 2N-ch. Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |