Продукція > STMICROELECTRONICS > STS4DNF60L
STS4DNF60L

STS4DNF60L STMicroelectronics

cd0000155.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STS4DNF60L STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STS4DNF60L за ціною від 29.58 грн до 211.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 8898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+57.38 грн
242+51.12 грн
256+48.40 грн
500+43.66 грн
1000+35.50 грн
2000+33.37 грн
2500+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+60.62 грн
207+59.82 грн
232+53.29 грн
250+50.87 грн
500+47.09 грн
1000+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.30 грн
11+64.95 грн
25+64.09 грн
100+55.06 грн
250+50.47 грн
500+48.44 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.70 грн
500+73.57 грн
1000+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EBFFC52C7098745&compId=STS4DNF60L.pdf?ci_sign=8c58fe1fd9a3f52ff379c6b72c021452cbfc8e8a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.95 грн
5+123.64 грн
10+111.58 грн
29+32.70 грн
79+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.20 грн
50+103.41 грн
100+81.70 грн
500+73.57 грн
1000+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.97 грн
10+100.15 грн
100+73.66 грн
500+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EBFFC52C7098745&compId=STS4DNF60L.pdf?ci_sign=8c58fe1fd9a3f52ff379c6b72c021452cbfc8e8a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.94 грн
5+154.08 грн
10+133.90 грн
29+39.24 грн
79+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics en.CD00001553.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.54 грн
10+101.63 грн
100+69.48 грн
500+64.30 грн
2500+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L Виробник : STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.