STW38N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW38N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW38N65M5 за ціною від 245.73 грн до 334.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 19A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 19A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |