STW38N65M5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 344.11 грн |
| 5+ | 341.72 грн |
| 10+ | 339.33 грн |
| 50+ | 313.61 грн |
| 100+ | 287.44 грн |
| 250+ | 285.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW38N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW38N65M5 за ціною від 213.02 грн до 533.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |


