Продукція > QORVO > UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S

UJ3N065080K3S Qorvo

da008698 Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+532.44 грн
30+ 409.51 грн
120+ 366.41 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3N065080K3S Qorvo

Description: UNITEDSIC - UJ3N065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.068 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції UJ3N065080K3S за ціною від 284.97 грн до 720.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S Виробник : Qorvo UJ3N065080K3S_Data_Sheet-3177169.pdf JFET 650V/80mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+569.6 грн
25+ 495.77 грн
100+ 373.98 грн
250+ 316.19 грн
600+ 299.58 грн
3000+ 293.6 грн
5400+ 284.97 грн
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S Виробник : UNITEDSIC da008698 Description: UNITEDSIC - UJ3N065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.068 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+594.64 грн
5+ 539.5 грн
10+ 483.61 грн
50+ 419.31 грн
100+ 359.59 грн
250+ 304.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ3N065080K3S_Data_Sheet-3177169.pdf JFET 650V/80mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+720.72 грн
10+ 641.67 грн
120+ 462.32 грн
510+ 401.88 грн
1020+ 364.68 грн
2520+ 358.04 грн
UJ3N065080K3S Виробник : United Silicon Carbide ds_uj3n065080k3s.pdf 650V SiC Normally-On JFET
товар відсутній