UJ3N065080K3S onsemi
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
Power - Max: 190 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 680.40 грн |
| 30+ | 409.00 грн |
| 120+ | 390.21 грн |
| 510+ | 348.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N065080K3S onsemi
Description: ONSEMI - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.
Інші пропозиції UJ3N065080K3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3N065080K3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UJ3N065080K3S | onsemi |
JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO247-3 |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UJ3N065080K3S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
Description: ONSEMI - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UJ3N065080K3S |
|
Виробник: onsemi
JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO247-3
JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)