Продукція > QORVO > UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S

UJ3N065080K3S QORVO

3750932.pdf Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+538.43 грн
5+515.35 грн
10+491.42 грн
50+434.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3N065080K3S QORVO

Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3N065080K3S за ціною від 368.74 грн до 863.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S Виробник : onsemi uj3n065080k3s-d.pdf Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+725.23 грн
30+435.95 грн
120+415.92 грн
510+370.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S Виробник : onsemi UJ3N065080K3S-D.PDF JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.95 грн
10+487.13 грн
100+376.36 грн
600+368.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S Виробник : United Silicon Carbide ds_uj3n065080k3s.pdf 650V SiC Normally-On JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S Виробник : ONSEMI uj3n065080k3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 24A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: cascode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.