UMH10NTN Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.2 грн |
| 6000+ | 5.83 грн |
| 9000+ | 5.17 грн |
| 30000+ | 4.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMH10NTN Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UMH10NTN за ціною від 4.23 грн до 31.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UMH10NTN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH10NTN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH10NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 37094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UMH10NTN | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA SOT-363 |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| UMH10NTN | Виробник : rohm |
|
на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| UMH10 NTN | Виробник : ROHM | SOT23- |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| UMH10NTN | Виробник : ROHM |
SOT26/ |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| UMH10 N TN | Виробник : ROHM | SOT363-H10 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
UMH10NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363 Mounting: SMD Case: SC88; SOT363 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 150mW Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Current gain: 80 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
UMH10NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363 Mounting: SMD Case: SC88; SOT363 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 150mW Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Current gain: 80 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A |
товар відсутній |