Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UMH10NTN
UMH10NTN

UMH10NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.24 грн
6000+6.32 грн
9000+5.99 грн
15000+5.27 грн
21000+5.07 грн
30000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMH10NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UMH10NTN за ціною від 7.75 грн до 33.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UMH10NTN UMH10NTN Rohm Semiconductor umh10ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+13.25 грн
1104+12.81 грн
2500+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN UMH10NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
16+19.63 грн
100+12.42 грн
500+8.71 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN UMH10NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN UMH10NTN ROHM umh10ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN UMH10NTN ROHM umh10ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN rohm datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10 NTN ROHM SOT23-
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10 N TN ROHM SOT363-H10
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN umh10ntn-e.pdf
UMH10NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1068+13.25 грн
1104+12.81 грн
2500+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH10NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
16+19.63 грн
100+12.42 грн
500+8.71 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH10NTN
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN umh10ntn-e.pdf
UMH10NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN umh10ntn-e.pdf
UMH10NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10NTN datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: rohm
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10 NTN
Виробник: ROHM
SOT23-
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH10 N TN
Виробник: ROHM
SOT363-H10
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.