A1C15S12M3-F STMicroelectronics
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Технічний опис A1C15S12M3-F STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - A1C15S12M3-F - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 15A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 142.8W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142.8W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: ACEPACK 1 M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 15A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції A1C15S12M3-F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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A1C15S12M3-F | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - A1C15S12M3-F - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 15A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 142.8W euEccn: NLR Verlustleistung: 142.8W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: ACEPACK 1 M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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A1C15S12M3-F | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 15A 142800mW 23-Pin ACEPACK-1 Tray |
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A1C15S12M3-F | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: ACEPACK™ 1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 142.8 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 985 pF @ 25 V |
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