Продукція > STMICROELECTRONICS > A1F25M12W2-F1
A1F25M12W2-F1

A1F25M12W2-F1 STMicroelectronics


Виробник: STMicroelectronics
Discrete Semiconductor Modules ACEPACK 1 power module, fourpack topology, 1200 V, 25 mOhm typ. SiC MOSFET NTC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A1F25M12W2-F1 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - A1F25M12W2-F1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: ACEPACK 1, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції A1F25M12W2-F1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
A1F25M12W2-F1 A1F25M12W2-F1 STMICROELECTRONICS 3978276.pdf Description: STMICROELECTRONICS - A1F25M12W2-F1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: ACEPACK 1
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
A1F25M12W2-F1 3978276.pdf
A1F25M12W2-F1
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - A1F25M12W2-F1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: ACEPACK 1
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.