A1P50S65M2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - A1P50S65M2 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.95 V, 208 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 208W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: ACEPACK 1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3773.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A1P50S65M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - A1P50S65M2 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.95 V, 208 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 208W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: ACEPACK 1, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції A1P50S65M2 за ціною від 3118.56 грн до 4314.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
A1P50S65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Modules ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, so |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
A1P50S65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 650V 50A 208000mW 22-Pin ACEPACK-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| A1P50S65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
A1P50S65M2 IGBT modules |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
A1P50S65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: ACEPACK™ 1 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 208 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.15 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |