Продукція > NXP USA INC. > A2G22S160-01SR3

A2G22S160-01SR3 NXP USA Inc.

RF_%20Gde.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz
Power - Output: 32W
Gain: 19.6dB
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2G22S160-01SR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.11GHz, Power - Output: 32W, Gain: 19.6dB, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 150 mA.

Інші пропозиції A2G22S160-01SR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
A2G22S160-01SR3 NXP / Freescale A2G22S160-01S-1125997.pdf RF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S160-01SR3 A2G22S160-01S-1125997.pdf
Виробник: NXP / Freescale
RF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.