Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2G22S190-01SR3 NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A2G22S190-01SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| A2G22S190-01SR3 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
A2G22S190-01SR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| A2G22S190-01SR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.