на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 7603.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2G22S190-01SR3 NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A2G22S190-01SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2G22S190-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET 125V T/R |
товару немає в наявності |
||
| A2G22S190-01SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
||
 |
A2G22S190-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |