Технічний опис A2G22S190-01SR3 NXP USA Inc.
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A2G22S190-01SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2G22S190-01SR3 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A2G22S190-01SR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.