Технічний опис A2G22S251-01SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 52dBm, Gain: 17.7dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 200 mA.
Інші пропозиції A2G22S251-01SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2G22S251-01SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET GAN 48V NI400Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz Power - Output: 52dBm Gain: 17.7dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 200 mA |
товару немає в наявності |
|
| A2G22S251-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 48 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |