A2G22S251-01SR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz
Power - Output: 52dBm
Gain: 17.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 200 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2G22S251-01SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 52dBm, Gain: 17.7dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 200 mA.
Інші пропозиції A2G22S251-01SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2G22S251-01SR3 | NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 48 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A2G22S251-01SR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 48 W Avg., 48 V
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 48 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.