A2G35S160-01SR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 190 mA
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12381.70 грн |
| 10+ | 10106.71 грн |
| 25+ | 9653.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2G35S160-01SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 51dBm, Gain: 15.7dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 190 mA.
Інші пропозиції A2G35S160-01SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2G35S160-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
A2G35S160-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
A2G35S160-01SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 51dBm Gain: 15.7dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 190 mA |
товару немає в наявності |
|
| A2G35S160-01SR3 | Виробник : NXP / Freescale |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3800 MHz, 32 W AVG., 48 V |
товару немає в наявності |