Продукція > NXP USA INC. > A2G35S160-01SR3
A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3 NXP USA Inc.

A2G35S160-01S.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 190 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2G35S160-01SR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET GAN 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 51dBm, Gain: 15.7dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 190 mA.

Інші пропозиції A2G35S160-01SR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
A2G35S160-01SR3 A2G35S160-01SR3 NXP USA Inc. A2G35S160-01S.pdf Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 190 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S160-01SR3 NXP / Freescale A2G35S160-01S.pdf RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3800 MHz, 32 W AVG., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S160-01SR3 A2G35S160-01S.pdf
A2G35S160-01SR3
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 190 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S160-01SR3 A2G35S160-01S.pdf
Виробник: NXP / Freescale
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3800 MHz, 32 W AVG., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.