Технічний опис A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 180W, Gain: 16.1dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 291 mA.
Інші пропозиції A2G35S200-01SR3 за ціною від 8750.16 грн до 11202.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
A2G35S200-01SR3 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400Current - Test: 291 mA Voltage - Test: 48 V Voltage - Rated: 125 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-400S-2S Technology: GaN HEMT Gain: 16.1dB Power - Output: 180W Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-400S-2S Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| A2G35S200-01SR3 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Current - Test: 291 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Technology: GaN HEMT
Gain: 16.1dB
Power - Output: 180W
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-400S-2S
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Current - Test: 291 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Technology: GaN HEMT
Gain: 16.1dB
Power - Output: 180W
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-400S-2S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11202.36 грн |
| 10+ | 9157.21 грн |
| 25+ | 8750.16 грн |