A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 7858.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 180W, Gain: 16.1dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 291 mA.
Інші пропозиції A2G35S200-01SR3 за ціною від 8244.19 грн до 9181.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 180W Gain: 16.1dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 291 mA |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 180W Gain: 16.1dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 291 mA |
товар відсутній |
|||||||||
| A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V |
товар відсутній |