A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Current - Test: 291 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Technology: GaN HEMT
Gain: 16.1dB
Power - Output: 180W
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-400S-2S
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11332.62 грн |
| 10+ | 9263.69 грн |
| 25+ | 8851.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 180W, Gain: 16.1dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 291 mA.
Інші пропозиції A2G35S200-01SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
A2G35S200-01SR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 180W Gain: 16.1dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 291 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A2G35S200-01SR3 | NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A2G35S200-01SR3 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 180W
Gain: 16.1dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 291 mA
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 180W
Gain: 16.1dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 291 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| A2G35S200-01SR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.