Продукція > NXP > A2I08H040NR1

A2I08H040NR1 NXP


Виробник: NXP
RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V
на замовлення 19 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4648.00 грн
10+3776.50 грн
100+3506.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2I08H040NR1 NXP

Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-15, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-15 Variant, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 920MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 9W, Gain: 30.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270WB-15, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 25 mA.

Інші пропозиції A2I08H040NR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A2I08H040NR1 A2I08H040NR1 Виробник : NXP Semiconductors 18a2i08h040n.pdf RF Amp Module Dual Power Amp 960MHz 32V 17-Pin(15+2Tab) TO-270 WB EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2I08H040NR1 A2I08H040NR1 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270-15 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 920MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 9W
Gain: 30.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270WB-15
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2I08H040NR1 A2I08H040NR1 Виробник : NXP / Freescale A2I08H040N-1125663.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 9 W AVG., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.