Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2I09VD030NR1 NXP USA Inc.
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V.
Інші пропозиції A2I09VD030NR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
A2I09VD030NR1 | NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| A2I09VD030NR1 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.



