Технічний опис A2I20H060NR1 Freescale Semiconductor - NXP
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V.
Інші пропозиції A2I20H060NR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
A2I20H060NR1 | NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| A2I20H060NR1 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.


