Продукція > NXP USA INC. > A2I20H080NR1

A2I20H080NR1 NXP USA Inc.

A2I20H080N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2I20H080NR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V.

Інші пропозиції A2I20H080NR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
A2I20H080NR1 A2I20H080NR1 NXP Semiconductors A2I20H080N-1125916.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
A2I20H080NR1 A2I20H080N-1125916.pdf
A2I20H080NR1
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.