A2I25D025NR1 NXP Semiconductors
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3120.76 грн |
| 10+ | 3007.65 грн |
| 500+ | 2614.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2I25D025NR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-270-17 Variant, Flat Leads, Current Rating (Amps): 10µA, Frequency: 2.1GHz ~ 2.9GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 3.2W, Gain: 31.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270WB-17, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 157 mA.
Інші пропозиції A2I25D025NR1 за ціною від 1701.16 грн до 1701.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A2I25D025NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17Packaging: Bulk Package / Case: TO-270-17 Variant, Flat Leads Current Rating (Amps): 10µA Frequency: 2.1GHz ~ 2.9GHz Configuration: Dual Power - Output: 3.2W Gain: 31.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270WB-17 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 157 mA |
на замовлення 4083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
A2I25D025NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amp Dual Power Amp 2.9GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270 WB EP T/R |
товару немає в наявності |