Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > A2I25D025NR1
A2I25D025NR1

A2I25D025NR1 NXP Semiconductors

A2I25D025N-1125860.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier 2300-2690 MHz 2.5 W Avg., 28 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2I25D025NR1 NXP Semiconductors

Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB, Drain-Source-Spannung Vds: 65, Dauer-Drainstrom Id: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 3.2, Betriebsfrequenz, max.: 2900, Betriebsfrequenz, min.: 2100, Bauform - HF-Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 17, Produktpalette: A2I25D025, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції A2I25D025NR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
A2I25D025NR1 A2I25D025NR1 NXP USA Inc. RF_%20Gde.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25D025NR1 A2I25D025NR1 NXP 2615740.pdf Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB
Drain-Source-Spannung Vds: 65
Dauer-Drainstrom Id: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 3.2
Betriebsfrequenz, max.: 2900
Betriebsfrequenz, min.: 2100
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 17
Produktpalette: A2I25D025
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25D025NR1 A2I25D025NR1 NXP 2615740.pdf Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25D025NR1 NXP Semiconductors RF_%20Gde.pdf RF Amp Dual Power Amp 2.9GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270 WB EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25D025NR1 RF_%20Gde.pdf
A2I25D025NR1
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25D025NR1 2615740.pdf
A2I25D025NR1
Виробник: NXP
Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB
Drain-Source-Spannung Vds: 65
Dauer-Drainstrom Id: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 3.2
Betriebsfrequenz, max.: 2900
Betriebsfrequenz, min.: 2100
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 17
Produktpalette: A2I25D025
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25D025NR1 2615740.pdf
A2I25D025NR1
Виробник: NXP
Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25D025NR1 RF_%20Gde.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amp Dual Power Amp 2.9GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270 WB EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.