Технічний опис A2I25H060GNR1 NXP USA Inc.
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V.
Інші пропозиції A2I25H060GNR1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
A2I25H060GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V |
товар відсутній |