Продукція > NXP USA INC. > A2I25H060GNR1
A2I25H060GNR1

A2I25H060GNR1 NXP USA Inc.

A2I25H060N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC TRANS RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2I25H060GNR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V.

Інші пропозиції A2I25H060GNR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A2I25H060GNR1 A2I25H060GNR1 Виробник : NXP Semiconductors A2I25H060N-1517202.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.