Продукція > NXP USA INC. > A2I25H060GNR1
A2I25H060GNR1

A2I25H060GNR1 NXP USA Inc.

A2I25H060N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC TRANS RF LDMOS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2I25H060GNR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V.

Інші пропозиції A2I25H060GNR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
A2I25H060GNR1 A2I25H060GNR1 NXP Semiconductors A2I25H060N-1517202.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25H060GNR1 NXP Semiconductors A2I25H060N.pdf RF Amp Module Dual Power Amp 2.69GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270WBG EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25H060GNR1 A2I25H060N-1517202.pdf
A2I25H060GNR1
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
A2I25H060GNR1 A2I25H060N.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amp Module Dual Power Amp 2.69GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270WBG EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.