A2I25H060NR1 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsRF Amp Module Dual Power Amp 2.69GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270 WB EP T/R
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2I25H060NR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-17 Variant, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.59GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 10.5W, Gain: 26.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270WB-17, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 26 mA.
Інші пропозиції A2I25H060NR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2I25H060NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-17 Variant, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.59GHz Configuration: Dual Power - Output: 10.5W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270WB-17 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 26 mA |
товару немає в наявності |
|
| A2I25H060NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V |
товару немає в наявності |