Технічний опис A2I35H060GNR1 NXP USA Inc.
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V.
Інші пропозиції A2I35H060GNR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2I35H060GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |