Продукція > NXP USA INC. > A2I35H060NR1

A2I35H060NR1 NXP USA Inc.

A2I35H060N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2I35H060NR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V.

Інші пропозиції A2I35H060NR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A2I35H060NR1 NXP Semiconductors A2I35H060N.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2I35H060NR1 A2I35H060N.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.