Продукція > NXP USA INC. > A2T18H160-24SR3

A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.


A2T18H160-24S.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Frequency: 1.81GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S-4L2L
Packaging: Bulk
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.9dB
Power - Output: 28W
Configuration: Dual
на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+9425.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 400 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780S-4L2L, Technology: LDMOS, Gain: 17.9dB, Power - Output: 28W, Configuration: Dual, Frequency: 1.81GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780S-4L2L, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції A2T18H160-24SR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A2T18H160-24SR3 Виробник : NXP USA Inc. A2T18H160-24S.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.9dB
Power - Output: 28W
Configuration: Dual
Frequency: 1.81GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S-4L2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2T18H160-24SR3 A2T18H160-24SR3 Виробник : NXP / Freescale A2T18H160-24S-1125728.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.