A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S-4L2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 28W
Gain: 17.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 400 mA
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10094.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 28W, Gain: 17.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S-4L2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 400 mA.
Інші пропозиції A2T18H160-24SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T18H160-24SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
High Reliability RF FET IC |
товару немає в наявності |
||
| A2T18H160-24SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Configuration: Dual Power - Output: 28W Gain: 17.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 400 mA |
товару немає в наявності |
||
 |
A2T18H160-24SR3 | Виробник : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |