A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Frequency: 1.81GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S-4L2L
Packaging: Bulk
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.9dB
Power - Output: 28W
Configuration: Dual
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 9425.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 400 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780S-4L2L, Technology: LDMOS, Gain: 17.9dB, Power - Output: 28W, Configuration: Dual, Frequency: 1.81GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780S-4L2L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції A2T18H160-24SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T18H160-24SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S-4L2L Technology: LDMOS Gain: 17.9dB Power - Output: 28W Configuration: Dual Frequency: 1.81GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S-4L2L Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
||
|
|
A2T18H160-24SR3 | Виробник : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |