A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: RF MOSFET LDMOS 31.5V OM1230-42
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-1230-4L2S
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 87W
Gain: 14.5dB @ 1.805GHz
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L2S
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 31.5 V
Current - Test: 1.08 A
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 11722.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 31.5V OM1230-42, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-1230-4L2S, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 87W, Gain: 14.5dB @ 1.805GHz, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L2S, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 31.5 V, Current - Test: 1.08 A.
Інші пропозиції A2T18H455W23NR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T18H455W23NR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 31.5 V |
товар відсутній |