A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 31.5V OM1230-42
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L2S
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Power - Output: 56dBm
Gain: 14.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L2S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 31.5 V
Current - Test: 1.08 A
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 31.5V OM1230-42, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-1230-4L2S, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Power - Output: 56dBm, Gain: 14.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L2S, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 31.5 V, Current - Test: 1.08 A.
Інші пропозиції A2T18H455W23NR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T18H455W23NR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 31.5 V |
товару немає в наявності |