A2T18S162W31GSR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780GS-2L2LA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.84GHz
Power - Output: 32W
Gain: 20.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780GS-2L2LA
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T18S162W31GSR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780GS-2L2LA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.84GHz, Power - Output: 32W, Gain: 20.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780GS-2L2LA, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1 A.
Інші пропозиції A2T18S162W31GSR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T18S162W31GSR3 | Виробник : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |