Технічний опис A2T18S166W12SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780-2S2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 1.995GHz, Power - Output: 38W, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780-2S2L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 28 V.
Інші пропозиції A2T18S166W12SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T18S166W12SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS NI780Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-2S2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.805GHz ~ 1.995GHz Power - Output: 38W Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-2S2L Part Status: Active Voltage - Rated: 28 V |
товару немає в наявності |
||
 |
A2T18S166W12SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |