A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L
Current - Test: 1.5 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: OM-880X-2L2L
Technology: LDMOS
Gain: 18.7dB
Power - Output: 280W
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: OM-880X-2L2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L, Current - Test: 1.5 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: OM-880X-2L2L, Technology: LDMOS, Gain: 18.7dB, Power - Output: 280W, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: OM-880X-2L2L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції A2T18S260W12NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2T18S260W12NR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| A2T18S260W12NR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.