A2T18S261W12NR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-880X-2L2L
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Power - Output: 280W
Gain: 18.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-880X-2L2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.5 A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T18S261W12NR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-880X-2L2L, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Power - Output: 280W, Gain: 18.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-880X-2L2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.5 A.
Інші пропозиції A2T18S261W12NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2T18S261W12NR3 | NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A2T18S261W12NR3 |
|
Виробник: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.