A2T20H160W04NR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM780-4
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.88GHz ~ 2.025GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 200W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM780-4
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 400 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T20H160W04NR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM780-4, Current Rating (Amps): 10µA, Frequency: 1.88GHz ~ 2.025GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 200W, Gain: 17dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM780-4, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 400 mA.
Інші пропозиції A2T20H160W04NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T20H160W04NR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 28 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |