Продукція > NXP USA INC. > A2T20H330W24NR6

A2T20H330W24NR6 NXP USA Inc.


A2T20H330W24N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L2L
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.88GHz ~ 2.025GHz
Power - Output: 229W
Gain: 15.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 700 mA
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2T20H330W24NR6 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-1230-4L2L, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.88GHz ~ 2.025GHz, Power - Output: 229W, Gain: 15.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L2L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 700 mA.

Інші пропозиції A2T20H330W24NR6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
A2T20H330W24NR6 Виробник : NXP / Freescale A2T20H330W24N-1517220.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 71 W Avg., 28 V
товар відсутній