A2T20H330W24SR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.88GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 58W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 700 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T20H330W24SR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.88GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 58W, Gain: 16.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 700 mA.
Інші пропозиції A2T20H330W24SR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T20H330W24SR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |