Продукція > NXP USA INC. > A2T21H100-25SR3

A2T21H100-25SR3 NXP USA Inc.

A2T21H100-25S.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Configuration: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2T21H100-25SR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Configuration: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції A2T21H100-25SR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A2T21H100-25SR3 NXP Semiconductors A2T21H100_25S-3137981.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2T21H100-25SR3 A2T21H100_25S-3137981.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.