Продукція > NXP USA INC. > A2T21H140-24SR3

A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc.


A2T21H140-24S.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM780-4
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 169W
Gain: 17.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM780-4
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 350 mA
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM780-4, Current Rating (Amps): 10µA, Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 169W, Gain: 17.4dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM780-4, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 350 mA.

Інші пропозиції A2T21H140-24SR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
A2T21H140-24SR3 A2T21H140-24SR3 Виробник : NXP Semiconductors A2T21H140-24S-1387509.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V
товар відсутній