A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4
Current - Test: 350 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: OM780-4
Technology: LDMOS
Gain: 17.4dB
Power - Output: 169W
Configuration: Dual
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: OM780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4, Current - Test: 350 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: OM780-4, Technology: LDMOS, Gain: 17.4dB, Power - Output: 169W, Configuration: Dual, Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: OM780-4, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції A2T21H140-24SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2T21H140-24SR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| A2T21H140-24SR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.