A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L2L
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 373W
Gain: 16.8dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 500 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-1230-4L2L, Current Rating (Amps): 10µA, Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 373W, Gain: 16.8dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L2L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 500 mA.
Інші пропозиції A2T21H360-23NR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2T21H360-23NR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |