A2T21H450W19SR6 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230S-4S4S
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz
Power - Output: 89W
Gain: 15.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230S-4S4S
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 800 mA
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15562.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T21H450W19SR6 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230, Packaging: Bulk, Package / Case: NI-1230S-4S4S, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 89W, Gain: 15.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230S-4S4S, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 30 V, Current - Test: 800 mA.
Інші пропозиції A2T21H450W19SR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T21H450W19SR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Power LDMOS Transistor |
товар відсутній |
||
| A2T21H450W19SR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 89 W Avg., 30 V |
товар відсутній |