A2T21S260-12SR3 NXP Semiconductors


978609072306939a2t21s260-12s.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistor
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2T21S260-12SR3 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780-2S2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.17GHz, Power - Output: 65W, Gain: 18.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780-2S2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.2 A.

Інші пропозиції A2T21S260-12SR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A2T21S260-12SR3 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780-2S2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 65W
Gain: 18.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-2S2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2T21S260-12SR3 Виробник : NXP / Freescale A2T21S260-12S-1125835.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 65 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.