A2T23H300-24SR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.3GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 66W
Gain: 14.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 750 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T23H300-24SR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.3GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 66W, Gain: 14.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 750 mA.
Інші пропозиції A2T23H300-24SR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
A2T23H300-24SR6 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz Configuration: Dual Power - Output: 66W Gain: 14.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A2T23H300-24SR6 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2300-2400 MHz, 69 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |
| A2T23H300-24SR6 | NXP Semiconductors |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
| A2T23H300-24SR6 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.3GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 66W
Gain: 14.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 750 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.3GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 66W
Gain: 14.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 750 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| A2T23H300-24SR6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2300-2400 MHz, 69 W Avg., 28 V
RF MOSFET Transistors AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2300-2400 MHz, 69 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| A2T23H300-24SR6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF POWER LDMOS TRANSISTOR
RF POWER LDMOS TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.