A2TBH45M65W3-FC

A2TBH45M65W3-FC STMicroelectronics


a2tbh45m65w3-fc.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Modules ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2TBH45M65W3-FC STMicroelectronics

Description: ACEPACK 2 POWER MODULE, TRIPLE B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 5 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 400V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 30A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA.

Інші пропозиції A2TBH45M65W3-FC за ціною від 4314.57 грн до 5680.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A2TBH45M65W3-FC Виробник : STMicroelectronics a2tbh45m65w3-fc.pdf Description: ACEPACK 2 POWER MODULE, TRIPLE B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 5 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 400V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5680.62 грн
18+4314.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.